手机闪存
Time:2023-12-20 09:00:15
关于手机闪存的问题，我们总结了以下几点，给你解答：
- 1、手机闪存
- 2、手机闪存3.1与4.0
- 3、手机闪存是什么意思
手机闪存
这两天的手机圈都被三星Galaxy Fold刷屏了，作为第一款可量产上市的折叠屏手机，Galaxy Fold的强悍毋庸置疑，4.6英寸+7.3英寸内外双屏、骁龙855移动平台、前后6颗摄像头，除了价格昂贵以外绝对爽口。
实际上，三星Galaxy Fold还有一项容易被我们忽视的卖点，那就是全球首发UFS3.0闪存芯片。
在手机领域，虽然SoC越来越强，内存和存储空间越来越大，摄像头都能拍月亮了，但就存储性能而言，其却始终是综合表现的最大短板。
目前手机圈流行的闪存主要以eMMC5.1、UFS2.1单通道，以及UFS2.1双通道为主，我们可以通过AndroBench和鲁大师对其性能一下跑分对比。
eMMC5.1的性能最低，它经常与骁龙4系、骁龙6系、骁龙7系、麒麟6系、麒麟7系、联发科Helio P系列搭配，主要定位在2000元价位以内的主流市场。其在AndroBench中的持续读写速度分别为281MB/s和214MB/s。
eMMC5.1闪存性能
UFS2.1根据通道数量的不同，性能存在很大的差距。其中，单通道UFS2.1主要和骁龙7系结合，定位中高端，在AndroBench中的持续读写速度分别为500MB/s和201MB/s。
UFS2.1单通道闪存性能
双通道UFS2.1主要和骁龙8系、麒麟9系结合，定位高端，在AndroBench中的持续读写速度分别为822MB/s和242MB/s。
UFS2.1双通道闪存性能
作为最顶级的UFS3.0，在2019年Q1才刚刚量产，是骁龙855的梦幻装备，在AndroBench中的持续读写速度可分别达到1507MB/s和396MB/s，较双通道UFS2.1提升了80%以上！
UFS3.0闪存性能
UFS3.0闪存性能
细心的童鞋不难发现，貌似eMMC5.1h和UFS2.1在持续写入速度上的差距不大，是不是代表它们写入数据时的实际表现相近？答案自然是否定的，随机读写（4K）性能才是和实际操作最密切相关的指标，eMMC5.1和UFS相比差的可不是一点半点。
鲁大师
顺序读取
顺序写入
随机读取
随机写入
SQLite Insert
SQLite Update
SQLite Delete
汇总表格
总的来说，UFS3.0的综合性能，特别是持续读写速度有着秒杀UFS2.1前辈的表现，只是在随机读写和SQLite性能上，却依旧和双通道的UFS2.1持平，有些小遗憾。
最后，咱们再来科普一下eMMC和UFS闪存的基础知识吧：
eMMC：
Embedded Multi Media Card，它是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者“打包”封装封成一颗BGA芯片，从而减少了对PCB主板的空间占用，也是移动设备中普及度最高的存储单元。eMMC的性能会随着总线接口的升级而提升，而目前最新的标准就是eMMC 5.1。
UFS：
Univeral Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得以翻番。
UFS2.x
UFS早前被细分为UFS 2.0和UFS 2.1，它们在读写速度上的强制标准都为HS-G2（High speed GEAR2），可选HS-G3标准。而两套标准又都能运行在1Lane（单通道）或2Lane（双通道）模式上，一款手机能取得多少读写速度，就取决于UFS闪存标准和通道数，以及处理器对UFS闪存的总线接口支持情况。
UFS3.0
UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。而由于UFS支持双通道双向读写，所以UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps，也就是2.9GB/s。此外，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升且支持最新的NAND Flash闪存介质。
手机闪存3.1与4.0
闪存最好的是slc，其次是mlc，最次的是tlc，现在一般都是使用mlc的，也有大容量手机用的是tlc的。
手机的内存很小，也就是几百k，你说的8g内存，肯定是内存卡
应该是功能上没什么区别，只是看你手机支持不
手机闪存是什么意思
闪存就是我们用来存储歌曲、视频等的东西，闪存比硬盘要小。\x0d\x0a\x0d\x0a1、手机闪存就是可以用来记录数据的空间，关机后也不会丢失。你安装软件等都会占哥流不用闪存。\x0d\x0a2、ram是可读存储器。即是指内存。是随着手机运行程序即时的进行擦写的。关机后数据不会保存。\x0d\x0a4、rom是只读存储器。这是类数据已经固化在芯片中的存储器。数据无法更改，用来存储固件数据和信息等。卫名主\x0d\x0a5、闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。）日开钱块呀，区块大小一般为256KB能劳云操叶线候宣乐到20MB。\x0d\x0a6、这里我们还需要端正一个念助做修千概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能举感步怀最松甲格提升。